半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)再添新軍 薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)拓荊科技4月8日開啟申購(gòu)

    本報(bào)記者 李勇

    薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備與刻蝕設(shè)備作為晶圓制造三大核心設(shè)備，決定著芯片制造工藝的先進(jìn)程度。作為打破薄膜沉積設(shè)備國(guó)際壟斷的國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商和國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ALD設(shè)備廠商，拓荊科技將于2022年4月8日網(wǎng)上、網(wǎng)下申購(gòu)，網(wǎng)下申購(gòu)代碼“688072”，網(wǎng)上申購(gòu)代碼“787072”，發(fā)行價(jià)格71.88元/股。

    拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦于半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。公開披露信息顯示，公司下游客戶包含中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠商。

    作為高新技術(shù)企業(yè)，拓荊科技立足于自主創(chuàng)新，持續(xù)研發(fā)投入，在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，拓積累了多項(xiàng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)顯示，截至2022年3月8日，公司累計(jì)獲取授權(quán)專利174項(xiàng)，其中發(fā)明專利共計(jì)98項(xiàng)。同時(shí)，公司還先后承擔(dān)了“90-65nm等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”、“1x nm 3D NAND PECVD 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等多項(xiàng)國(guó)家重大專項(xiàng)/課題。

    據(jù)了解，拓荊科技此次發(fā)行所募資金將主要用于高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)，以及ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目。據(jù)公司董事長(zhǎng)呂光泉網(wǎng)上路演時(shí)的介紹，拓荊科技目前已形成覆蓋二十余種工藝型號(hào)的薄膜沉積設(shè)備，擁有多項(xiàng)核心技術(shù)，解決了半導(dǎo)體制造中納米級(jí)厚度薄膜均勻一致性、薄膜表面顆粒數(shù)量少、快速成膜、設(shè)備產(chǎn)能穩(wěn)定高速等關(guān)鍵難題，關(guān)鍵性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。截至2021年9月10日，公司在手訂單15億元。

    拓荊科技總經(jīng)理田曉明在參與網(wǎng)上路演時(shí)表示，“相較于國(guó)外主流設(shè)備，拓荊設(shè)備的主要技術(shù)參數(shù)已達(dá)到國(guó)際設(shè)備水平。在國(guó)內(nèi)客戶售后服務(wù)更具有快速響應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，公司產(chǎn)品采取差異化戰(zhàn)略，更具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本優(yōu)勢(shì)。未來公司還將不斷豐富產(chǎn)品種類，提高研發(fā)創(chuàng)新力度，不斷提高市場(chǎng)占有率。”

（編輯 才山丹）