硅來12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設(shè)備批量交付

    本報(bào)訊 （記者李春蓮）近日，硅來半導(dǎo)體（武漢）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“硅來”）第三批兼容12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設(shè)備順利交付客戶。本次交付標(biāo)志著硅來超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)已經(jīng)成功通過產(chǎn)業(yè)化檢驗(yàn)，將為碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的動(dòng)能。

    作為第三代半導(dǎo)體代表材料，碳化硅具有禁帶寬度大、熔點(diǎn)高、熱導(dǎo)率高等性能優(yōu)勢(shì)，在高溫、高壓、高頻條件下表現(xiàn)優(yōu)異，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域，并有望作為最理想的AR鏡片材料、先進(jìn)封裝中介層材料等推動(dòng)多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)變革。與6英寸襯底相比，8英寸和12英寸碳化硅襯底能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，可以顯著提升產(chǎn)量、降低成本。

    據(jù)了解，硅來核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)來自華中科技大學(xué)激光學(xué)科，技術(shù)創(chuàng)新能力強(qiáng)，且深耕激光產(chǎn)業(yè)多年。團(tuán)隊(duì)自主創(chuàng)新激光剝離技術(shù)，對(duì)莫氏硬度高達(dá)9.5，接近于金剛石的SiC單晶，先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設(shè)備，解決了大尺寸、尤其是超大尺寸碳化硅襯底加工的技術(shù)難題，效率和損耗顯著優(yōu)于傳統(tǒng)線切割工藝。

    不到半年時(shí)間，硅來累計(jì)出貨數(shù)十套設(shè)備，廣泛覆蓋國內(nèi)多家頭部碳化硅企業(yè)。得益于模塊化的設(shè)計(jì)和產(chǎn)業(yè)協(xié)同，硅來半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，設(shè)備的批量交付周期為28天，未來有望縮短至14天。

    值得一提的是，硅來已經(jīng)成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰(zhàn)略投資者。未來，硅來將聚焦半導(dǎo)體激光裝備核心賽道，持續(xù)優(yōu)化SoC光源、自由曲面光路等核心技術(shù)，深化與帝爾激光的協(xié)同創(chuàng)新，以更先進(jìn)的技術(shù)、更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)賦能碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

（編輯 張文玲 郭之宸）