本報記者 任世碧
7月4日,第三代半導體板塊表現(xiàn)亮眼,截至午盤,其整體漲2.8%,跑贏上證指數(shù)(漲0.07%)。其中,光智科技、斯達半導漲停,銘普光磁、新潔能、臺基股份、時代電氣、天準科技、芯導科技等個股漲幅均超6%。
市場資金涌入第三代半導體板塊搶籌。截至午盤,第三代半導體板塊呈現(xiàn)資金凈買入態(tài)勢,合計吸金8.71億元。其中,斯達半導、聞泰科技、揚杰科技、銘普光磁、三安光電、士蘭微等6只概念股大單資金凈買入額均超5000萬元。
7月4日上午大單資金凈買入額超千萬元的第三代半導體概念股
制表:任世碧
消息面上,7月3日,商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布《關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告》。公告顯示,根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿(mào)易法》《中華人民共和國海關(guān)法》有關(guān)規(guī)定,為維護國家安全和利益,經(jīng)國務(wù)院批準,決定對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制。公告將自2023年8月1日起正式實施。
對此,接受《證券日報》記者采訪的排排網(wǎng)財富研究員卜益力表示,鎵、鍺屬于稀缺戰(zhàn)略資源,用途比較廣泛,其中鎵是最具代表性的第三代半導體材料之一,而且我國又是全球鎵產(chǎn)量大國,美國一半以上的進口需求來自于中國,因此出口管制一定程度上利好我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。長期看,看好第三代半導體在國家政策以及市場需求的積極推動下的發(fā)展前景。半導體自主可控背景下,疊加第三代半導體已經(jīng)具備技術(shù)突破的同時,在產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展上也奠定了基礎(chǔ),有望助力我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)進入到加速增長期。
第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。鎵被稱作“半導體工業(yè)新糧食”,可以在集成電路、LED和光伏板中使用,砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體結(jié)合了多種元素,可幫助提高電視/手機屏幕、光伏電池板和雷達的傳輸速度和效率。數(shù)據(jù)顯示,全球探明的金屬鎵儲量僅27.93萬噸,中國擁有19萬噸,占比在68%左右。而從產(chǎn)量來說,美國地質(zhì)調(diào)查局數(shù)據(jù)顯示,哈薩克斯坦、匈牙利、德國、烏克蘭等產(chǎn)國已相繼停止鎵生產(chǎn),我國在全球鎵產(chǎn)量占比持續(xù)提升,截至2021年,占比已超90%。
鎵系相關(guān)產(chǎn)品中,氮化鎵(GaN)是最具代表性的第三代半導體材料之一。浙商證券表示,氮化鎵(GaN)禁帶寬度達到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力,使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領(lǐng)域大有作為。隨著5G通信、消費電子、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求,有望放量提價。
鍺也是優(yōu)良半導體,可作高頻率電流的檢波和交流電的整流用,被多國列入戰(zhàn)略儲備物資的重要資源,在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫(yī)學等領(lǐng)域都有廣泛而重要的應(yīng)用。其中,鍺在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用具體體現(xiàn)在聚光電池與硅鍺薄膜電池中,主要是用作砷化鎵太陽能電池的襯底材料。據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局數(shù)據(jù),全球鍺資源中國占比41%,美國占比45%;全球鍺供給中,中國占比68%,俄羅斯占比5%。
日前,在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導體技術(shù)(包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù))已經(jīng)開始獲得應(yīng)用,并具有很大的性能及市場潛力,將在未來十年獲得高達年復合20%以上的快速增長。
止于至善投資基金經(jīng)理孫嘉寶對記者表示,此次對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制,對于國內(nèi)第三代半導體公司是利好。目前,第三代半導體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)都呈現(xiàn)快速發(fā)展狀態(tài),襯底、外延及芯片產(chǎn)能加速擴張,成本持續(xù)降低,國內(nèi)外主流廠家都制定了積極進取的市場策略。而中國擁有第三代半導體最大的應(yīng)用市場,在新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、5G、消費電子等強勁帶動下,預(yù)計未來幾年我國第三代半導體將繼續(xù)保持高速增長,可以關(guān)注碳化硅及氮化鎵等材料產(chǎn)業(yè)鏈投資機會。
(編輯 才山丹 策劃 張穎)
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